Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 330А; Idm: 900А; 66Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NTMFS5H400NLT1G
100,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS5H400NLT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 0,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 66Вт
Струм стока: 330А
Струм стоку в імпульсі: 900А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5,1нГн; 600мА; R: 0,12Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 5,1нГн; 600мА; R: 0,12Ом; LQW; 180мм

2,74 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Індуктивність:
5,1нГн
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 200В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201

3,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
0,8пФ
Датчик: тиску; 2069мбар; OUT: аналоговий; -40÷125°C
Датчик: тиску; 2069мбар; OUT: аналоговий; -40÷125°C

5658,90 грн

Діапазон вимірювання тиску:
2069мбар
Конфігурація виходу:
аналоговий
Робоча температура:
-40...125°C
Тип датчика:
тиску
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603; 180мм

0,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Резистор: thin film; 33,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 33,2кОм; 63мВт; 1x0,5x0,3мм

17,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Опір:
33,2кОм
Потужність:
63мВт
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА

14600,88 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
11В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 10В; 194,8А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

809,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK