1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт
Немає в наявності
Код товару: SIHB20N50E-GE3
220,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHB20N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 92нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 184мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 42А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 34; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 34; SMT; 3A; 150V

652,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 30нс; MELF; 875мВ; 5мкА
Діод: випрямний; SMD; 30нс; MELF; 875мВ; 5мкА

1620,63 грн

Ємність:
60пФ
Корпус:
MELF
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,875В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

680,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 36А; 34Вт; автомобільна галузь

46,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6,8нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 73Вт; HSOP8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD