Name: Транзистор: N-MOSFET; 500В; 22А; 265Вт; D3PAK,TO268
Brand: MICROCHIP TECHNOLOGY
SKU: APT5024SLLG/TR
Price: 504.94 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; 500В; 22А; 265Вт; D3PAK,TO268

Немає в наявності

Код товару: APT5024SLLG/TR

504,94 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 400

Крок додавання: 400

Код товару:

APT5024SLLG/TR

Виробник:

MICROCHIP TECHNOLOGY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

43нКл

Корпус:

D3PAK; TO268

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

0,24Ом

Потужність розсіювання:

265Вт

Стандартне пакування виробника:

400шт.

Струм стока:

22А

Технологія:

POWER MOS 7®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
330мм

Діелектрик:
X8G

Ємність:
3,8пФ

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

30,22 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Довжина:
21,6мм

Електричний монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight

9,00 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Довжина:
11,3мм

Електричний монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

399,14 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
D3PAK; TO268

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
43нКл

Корпус:
FB (TO252AA)

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
77нКл

Корпус:
LF (MO235B similar)

Бажані

Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SuperSOT-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-25В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1нКл

Корпус:
SOT23; TO236AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
17нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,7нКл

Корпус:
SOT23