Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 27А; Idm: 108А; 300Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT5018SLLG
705,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5018SLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 108А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; Microwire; 512x16; SOIC8
IC: пам'ять EEPROM; 8кБEEPROM; Microwire; 512x16; SOIC8

58,92 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOIC8
Адаптер; FME "папа",SMA "папа"
Адаптер; FME "папа",SMA "папа"

180,56 грн

Конструкція кабелю/переходу:
FME "папа"; SMA "папа"
Тип переходу:
адаптер
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБFLASH; UQFN36; DSPIC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБFLASH; UQFN36; DSPIC; -40÷85°C

74,13 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; UART
Корпус:
UQFN36
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач безпеки: магнітний; F3S-TGR-N_C; NC x2 + NO; IP69K; 200мА
Вимикач безпеки: магнітний; F3S-TGR-N_C; NC x2 + NO; IP69K; 200мА

9726,95 грн

Дальність:
20мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP69K
Конфігурація контактів:
NC x2 + NO
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

14,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK

322,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; THT; 1.5A; 60V

189,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,8мм
Довжина відводів:
4мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD