Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 27А; Idm: 108А; 300Вт; D3PAK

Немає в наявності
Код товару: APT5018SLLG
705,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5018SLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 58нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 27А
Струм стоку в імпульсі: 108А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; 152,4мм; SMA вилка; прямий; 18ГГц
Кабель; 152,4мм; SMA вилка; прямий; 18ГГц

2809,81 грн

Довжина кабелю:
152,4мм
Конструкція кабелю/переходу:
SMA вилка
Модель роз’єму:
прямий
Тип з’єднувального кабелю:
коаксіальний антенний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Трансформатор: литий; 8÷16В; 79,2x54,4x68,1мм
Трансформатор: литий; 8÷16В; 79,2x54,4x68,1мм

999,75 грн

Вторинна напруга 1:
8...16В
Зовнішні розміри:
79,2x54,4x68,1мм
Тип трансформатора:
литий
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

14,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Недоступний
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 24В; 834мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 24В; 834мА; PCB; BVEI

1036,49 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
56,8x47,7x43,2мм
Монтаж:
PCB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD