Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; Idm: 20А; 110Вт

Немає в наявності
Код товару: IRFR430ATRLPBF
28,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: IRFR430ATRLPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1,7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 110Вт
Струм стока: 3,2А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 5; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 5; THT; straight

13,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X7T; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X7T; ±20%; SMD; 0603

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА

366,83 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 3,3мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TAJ

11,91 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; X8G; ±5%; SMD; 01005; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 25В; X8G; ±5%; SMD; 01005; 180мм

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,3пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD