Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,9А; Idm: 46А; 165Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: FDB12N50TM
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: FDB12N50TM
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,65Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 165Вт
Струм стока: 6,9А
Струм стоку в імпульсі: 46А
Технологія: DMOS; UniFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 26,7÷29,5В; 40А; односпрямована; ±5%; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 26,7÷29,5В; 40А; односпрямована; ±5%; SMCJ

45,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
24В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0402; 180мм

0,76 грн

Alias:
KGM05AR71E681JH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 66,7В; 31А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 66,7В; 31А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

369,96 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; QFN64; Осердя: 8-bit
IC: мікроконтролер AVR; ATMEGA; QFN64; Осердя: 8-bit

365,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
38
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 12В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА
Діод: зенера; 1Вт; 12В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

2705,66 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
12В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Діод: TVS; 7,13В; 44,6А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 7,13В; 44,6А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1125,09 грн

Зворотна напруга макс.:
5,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
7,13В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,31 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD