Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 14,3А; Idm: 81А; 62Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK7675-55A,118
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BUK7675-55A,118
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: D2PAK; SOT404
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 0,15Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 14,3А
Струм стоку в імпульсі: 81А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; DO203AB,DO5; 1,25В; 25мкА
Діод: випрямний; DO203AB,DO5; 1,25В; 25мкА

5643,70 грн

Корпус:
DO5; DO203AB
Пряма напруга макс.:
1,25В
Струм витоку:
25мкА
Тип діода:
випрямний
Недоступний
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 1,9нГн; 1А; R: 50мОм; ±0,2нГн
Реактор: керамічний; SMD; 0402; 1,9нГн; 1А; R: 50мОм; ±0,2нГн

1,70 грн

Високосортність:
23
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
1,9нГн
Корпус - дюйм:
0402
Енкодер: інкрементальний; Uживл: 12÷24ВDC; 10імп./об; IP64
Енкодер: інкрементальний; Uживл: 12÷24ВDC; 10імп./об; IP64

4092,76 грн

Властивості датчиків:
вісь 8мм
Зовнішні розміри:
Ø50x71,3мм
Клас герметичності:
IP64
Конфігурація виходу:
push/pull
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 122÷135В; 3,4А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 122÷135В; 3,4А; односпрямована; SMB; SMBJ

4,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
SMB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD