Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 39А; Idm: 250А; 114Вт; DPAK
Brand: NEXPERIA
SKU: BUK7219-55A,118
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 39А; Idm: 250А; 114Вт; DPAK

Немає в наявності

Код товару: BUK7219-55A,118

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

BUK7219-55A,118

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Використання:

автомобільна галузь

Корпус:

DPAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

55В

Опір в стані провідності:

38мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

114Вт

Струм стока:

39А

Струм стоку в імпульсі:

250А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 0,5кВт; 7,13В; 44,6А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

1235,95 грн

Зворотна напруга макс.:
5,7В

Кількість каналів:
1

Монтаж:
SMD

Напруга пробою:
7,13В

Бажані

Набір інструментів: відкривачки; 13шт.

393,40 грн

Кількість в наборі/упаковці:
13шт.

Тип набору інструментів:
відкривачки

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
1,1пФ

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,31 грн

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
900В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
80,4нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
D2PAK-7

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,60 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD