Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 418А; 130Вт

Немає в наявності
Код товару: PSMN4R0-60YS,115
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN4R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 418А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 27В; односпрямована; G-MELF; -55÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 27В; односпрямована; G-MELF; -55÷175°C

975,04 грн

Зворотна напруга макс.:
24В
Корпус:
G-MELF
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
27В
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 6А
Перетворювач: DC/DC; 40Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 6А

5863,54 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідна напруга 2:
12В DC
Вихідна напруга 3:
-12В DC
Вихідний струм:
6А
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,SSP; THT
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,SSP; THT

115,31 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
A/E/USART; GPIO; ICSP; SSP
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 500нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 43В; SMD; DO213AB; 500нА; ролик,cтрічка

144,45 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
43В
Корпус:
DO213AB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,15пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,15пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,15пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD