Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; Idm: 44А; 34Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI011N06PQK
31,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI011N06PQK
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 10мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 44А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 270нФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 270нФ; 450ВDC; THT; ±10%

8,68 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,27мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,5А; Idm: -13А; 1,62Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,5А; Idm: -13А; 1,62Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; screw-in; 20mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; screw-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,1Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 8; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

0,00 грн

Довжина кабелю:
20м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7нФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

18,88 грн

Alias:
KGM31VCG2A272FU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Мірник: амперметр; цифровий,типа пінцет AC; LCD 2,5"; ±3%; IP31
Мірник: амперметр; цифровий,типа пінцет AC; LCD 2,5"; ±3%; IP31

15153,34 грн

Батарея/акумулятор:
батарея AA 1,5В x2
Вид вжитого дисплея:
LCD 2,5"
Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
100В
Поляризація:
польовий
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263

306,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
DFN6
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,1нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
109нКл