Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 254мА; Idm: 0,9А; 440мВт

Немає в наявності
Код товару: DMN61D9UDWQ-13
2,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMN61D9UDWQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,6нКл
Корпус: SOT363
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,44Вт
Струм стока: 254мА
Струм стоку в імпульсі: 0,9А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; black; Shrinking ratio: 2: 1
Marker: cable-heat shrinkable; 50mm; black; Shrinking ratio: 2: 1

112,76 грн

Властивості складських аксесуарів:
теплова передача; у формі драбинки
Діаметр після усадження:
6,4мм
Довжина:
50мм
Коефіцієнт усадження:
2:1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50В; CHA; ±0,1%; SMD; 0402

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,PSP,SSP
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 20МГц; A/E/USART,GPIO,ICSP,PSP,SSP

650,60 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART; GPIO; ICSP; PSP; SSP
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD