Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 1А; 270мВт

Немає в наявності
Код товару: NX6008NBKR
8,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NX6008NBKR
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,5нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,27Вт
Струм стока: 0,27А
Струм стоку в імпульсі: 1А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,3пФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 5м; вилка; 250ВAC; 4А; 763; ПВХ; IP69K
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 5м; вилка; 250ВAC; 4А; 763; ПВХ; IP69K

876,20 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B

2889,01 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Недоступний
Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 625Вт; TO264
Транзистор: IGBT; 600В; 80А; 625Вт; TO264

897,75 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO264
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл