Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; TO252AA

Немає в наявності
Код товару: PJD45N06SA-AU_L2_006A1
33,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJD45N06SA-AU_L2_006A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Струм стока: 39А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 25ВDC; Ø5x5мм; ±20%; KS
Конденсатор: електролітичний; THT; 10мкФ; 25ВDC; Ø5x5мм; ±20%; KS

4,05 грн

Висота:
5мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Patch cord; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 2м; тросик; Cu; FRNC
Patch cord; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 2м; тросик; Cu; FRNC

1425,36 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 6,8мкФ; 400ВDC; Ifsm: 612А; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 6,8мкФ; 400ВDC; Ifsm: 612А; THT

511,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Ємність:
6,8мкФ
Застосування конденсаторів:
фільтруючі
Недоступний
Резистор: дротяний; 51Ом; цементний; THT; 5Вт; ±5%; Ш0,8x35мм
Резистор: дротяний; 51Ом; цементний; THT; 5Вт; ±5%; Ш0,8x35мм

10,96 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
51Ом
Недоступний
Кінцевий роз'єм прямий
Кінцевий роз'єм прямий

347,79 грн

Відповідність стандарту:
EN 45545-2
Тип аксесуарів до кабелів:
кінцевий роз'єм прямий
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; HF115F
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; HF115F

143,17 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. напруга котушки:
9В DC
Макс. струм контактів:
8А
Недоступний
Роз’єм: HDC; модуль; штекерний; 16А; 400В; Han-Modular®; PIN: 8
Роз’єм: HDC; модуль; штекерний; 16А; 400В; Han-Modular®; PIN: 8

980,02 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
push-in
Кількість пін:
8
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
100В
Поляризація:
польовий
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263

306,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь

30,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
DFN6
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8

49,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,1нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт

120,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
109нКл