1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 150Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 150Вт
Немає в наявності
Код товару: IRLZ44SPBF
178,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRLZ44SPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 66нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 39мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 150Вт
Струм стока: 50А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 30кВт; 71,1В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 30кВт; 71,1В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

2146,48 грн

Зворотна напруга макс.:
64В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
71,1В
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 42мА

205,27 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; SPI; 1Mx8бит; 50МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
IC: пам'ять FLASH; 8МбFLASH; SPI; 1Mx8бит; 50МГц; 2,7÷3,6В; WSON8

89,33 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WSON8
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2,2÷5,5ВDC; SOT23-5; 8мкВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2,2÷5,5ВDC; SOT23-5; 8мкВ

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
8мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
50пА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Модуль: RF; PCB; XBee; 2,4ГГц; I2C,SPI,UART; -103дБм; 19дБм; SMD
Модуль: RF; PCB; XBee; 2,4ГГц; I2C,SPI,UART; -103дБм; 19дБм; SMD

2223,14 грн

Вид антени:
PCB
Вид модуля:
XBee
Інтерфейс:
I2C; SPI; UART
Комунікаційний протокол:
DigiMesh; IEEE 802.15.4; ZigBee
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3мкФ; 16В; X8R; ±10%; SMD; 1206

14,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 468Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 468Вт; автомобільна галузь

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
170нКл
Монтаж:
SMD