Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 6,5А; Idm: 26А; 2Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: RSH065N06TB1
68,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RSH065N06TB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 48мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: 6,5А
Струм стоку в імпульсі: 26А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перемикач: антивандальний; SPDT; ULV7; 3A/250ВAC; IP67; ON-ON; 3В
Перемикач: антивандальний; SPDT; ULV7; 3A/250ВAC; IP67; ON-ON; 3В

987,08 грн

Виводи:
проводи
Клас герметичності:
IP67
Колір кнопки:
срібний
Колір корпусу:
срібний
PIN: 2; Покриття: позолочений; компресійний
PIN: 2; Покриття: позолочений; компресійний

1042,20 грн

Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
2
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,5пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,9пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,9пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
0,9пФ
Недоступний
Модуль автоматики: switch Ethernet; некерований; 12÷48ВDC; RJ45
Модуль автоматики: switch Ethernet; некерований; 12÷48ВDC; RJ45

23744,33 грн

Вид модуля:
некерований
Висота:
142мм
Властивості роз’ємів:
2x порт SFP
Глибина:
99мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 15ВDC; SIP7; THT

566,40 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
81%
Недоступний
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; DO214AA,SMB; SMD; 35А; SIDACtor®
Тиристор: TSS; Urmax: 170В; DO214AA,SMB; SMD; 35А; SIDACtor®

36,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
170В
Корпус:
DO214AA; SMB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK