Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 71А; Idm: 440А; 31Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NVMFS5C670NLAFT1G
127,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFS5C670NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 6,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: 71А
Струм стоку в імпульсі: 440А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32
IC: мікроконтролер PIC; 512кБ; 40МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; QFN64; PIC32

298,38 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; DMAC x4; HLVD; PMP; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Діод: TVS; 178В; 1,5кВт; Ch: 1; 90пФ; -65÷150°C
Діод: TVS; 178В; 1,5кВт; Ch: 1; 90пФ; -65÷150°C

164,08 грн

Ємність:
90пФ
Зворотна напруга макс.:
160В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP12; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP12; THT

555,58 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
67%
Недоступний
Діод: TVS; 40,9В; 25,4А; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 40,9В; 25,4А; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

5946,62 грн

Зворотна напруга макс.:
32,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
40,9В
Недоступний
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; InSOP-24D; flyback; 12Вт
IC: PMIC; AC/DC switcher,контролер SMPS; InSOP-24D; flyback; 12Вт

85,52 грн

Вид об'єднаної схеми:
AC/DC switcher; контролер SMPS
Вхідна напруга:
85...265В
Корпус:
InSOP-24D
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 910кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 910кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

28,63 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,31 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD