1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 9А; Idm: 56А; 42Вт; IPAK,TO251
Немає в наявності
Код товару: SIHFU020-GE3
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFU020-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: IPAK; TO251
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 56А
Тип транзистора: N-MOSFET
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 500мА; 0805
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 500мА; 0805

16,47 грн

Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Максимальна напруга:
9В DC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Тримач PCB; для підігрівача,фіксація друкарських плат; ESD
Тримач PCB; для підігрівача,фіксація друкарських плат; ESD

27408,80 грн

Властивості паяльного обладнання:
3 рівні регулювання висоти
Застосування паяльного обладнання:
для підігрівача; фіксація друкарських плат
Модель:
ESD
Розміри приладу:
238x237x96мм
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 145МГц; Ch: 2; ±1,2÷18ВDC,2,4÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 145МГц; Ch: 2; ±1,2÷18ВDC,2,4÷36ВDC

414,98 грн

Вид упаковки:
туба
Діапазон напруги живлення:
± 1,2...18В DC; 2,4...36В DC
Кількість каналів:
2
Корпус:
SO8
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 14мм; 3/8"; IMPAKTOR
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 14мм; 3/8"; IMPAKTOR

357,96 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
30мм
Розмір гнізда:
HEX 14мм
Ножниці; для кабелів; 225мм; воронований інструмент
Ножниці; для кабелів; 225мм; воронований інструмент

2612,78 грн

Властивості кусачок/ножів:
воронований інструмент
Довжина інструмента:
225мм
Застосування кусачок/ножів:
для кабелів
Твердість леза:
прибл. 56 HRC
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP64; JTAG; 256БSRAM,4кБFLASH; Cmp: 1
IC: мікроконтролер MSP430; LQFP64; JTAG; 256БSRAM,4кБFLASH; Cmp: 1

157,12 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog
Інтерфейс:
JTAG
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 42А; Idm: 126А; 495Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 42А; Idm: 126А; 495Вт; TO247

634,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT