1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Немає в наявності
Код товару: TSM60NB1R4CH C5G
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60NB1R4CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 7,12нКл
Корпус: IPAK
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 28,4Вт
Струм стока: 1,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1,3Вт; 150В; SOD57; одиночний діод; Ammo Pack; BZT03C
Діод: зенера; 1,3Вт; 150В; SOD57; одиночний діод; Ammo Pack; BZT03C

27,88 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
150В
Корпус:
SOD57
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; 1,6А; R: 213,2мОм; ±20%; VLS
Реактор: дротяний; SMD; 33мкГн; 1,6А; R: 213,2мОм; ±20%; VLS

9,82 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
33мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
213,2мОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC

374,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92

121,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT