Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; 63Вт; ITO220AB

Немає в наявності
Код товару: TSM60NE200CIT C0G
196,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60NE200CIT C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: ITO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 12А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 24,4В; 1,5кВт; Ch: 1; 100пФ; -65÷150°C
Діод: TVS; 24,4В; 1,5кВт; Ch: 1; 100пФ; -65÷150°C

163,46 грн

Ємність:
0,1нФ
Зворотна напруга макс.:
22В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Кабель: до датчиків; M12; вилка; еластомер термопластичний TPE
Кабель: до датчиків; M12; вилка; еластомер термопластичний TPE

4424,11 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Колір ізоляції:
жовтий
Призначення телефонного кабелю:
автоматика
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 15ВDC; THT; RP20-FR
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 15ВDC; THT; RP20-FR

4186,52 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вхідна напруга:
43...160В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; мінімальна напруга UVP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; QFN28; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 2,3÷5,5ВDC; SMD; QFN28; PIC18

88,70 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; CLC x4; CWG x3; DMAC x2; PoR; PPS; watchdog; XLP; zero cross detect
Інтерфейс:
I2C x2; LIN; RS232; RS485; SPI; UART x2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; THT; straight

25,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,4мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Недоступний
Молоток; 300мм; W: 90мм; 450г; 30мм; SIMPLEX
Молоток; 300мм; W: 90мм; 450г; 30мм; SIMPLEX

1894,33 грн

Вага головки:
450г
Загальна довжина:
300мм
Розмір:
30мм
Серія виробника:
simplex
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
7,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 60А; Idm: 350А

1210,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
174нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

107,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 215Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 650В; 4А; Idm: 16А; 112Вт

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 41А; Idm: 328А; 108,7Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30,8нКл
Корпус:
TO220-3