Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG125N60EF-GE3
297,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG125N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,125Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 66А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом

9,69 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - мм:
0504
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,WiFi; -5дБі; лінійна; на панель
Антена: комунікаційна; GSM,ISM,WiFi; -5дБі; лінійна; на панель

549,92 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
GSM; ISM; WiFi
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
47мм
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,правий,прямий; 1м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,правий,прямий; 1м

1590,22 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

343,39 грн

Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72

331,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; GMII; half duplex; MDI-X
Категорія Ethernet:
10/100/1000Base-T
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 38,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 38,5Вт

200,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; TO247

197,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 14А; Idm: 80А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 14А; Idm: 80А; 150Вт

174,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 20А; 60Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 20А; 60Вт; TO220-3

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,8нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB