Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт
Brand: VISHAY
SKU: SIHK075N60EF-T1GE3
Price: 398.51 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHK075N60EF-T1GE3

398,51 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIHK075N60EF-T1GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

72нКл

Корпус:

PowerPAK® 1012

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

71мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

192Вт

Струм стока:

21А

Струм стоку в імпульсі:

97А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Модель:
ESD

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
14,6нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
6,3нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
DPAK