Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт
Brand: VISHAY
SKU: IRFBC40ASTRRPBF
Price: 49.42 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт

Немає в наявності

Код товару: IRFBC40ASTRRPBF

49,42 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 800

Крок додавання: 800

Код товару:

IRFBC40ASTRRPBF

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

42нКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

1,2Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

125Вт

Струм стока:

3,9А

Струм стоку в імпульсі:

25А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; SO28-W; PIC18; туба

198,94 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит

Вид упаковки:
туба

Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x4; PoR; watchdog

Інтерфейс:
A/E/USART x2; ECAN; LIN; MSSP (SPI / I2C)

Бажані

Діод: випрямний; THT; 100В; 10А; Ifsm: 400А; R6; Ammo Pack

58,92 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack

Зворотна напруга макс.:
0,1кВ

Корпус:
R6

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO263-7

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,9нКл

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
59нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,3нКл

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
D3PAK; TO268