Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 35А; 357Вт; TO247-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 35А; 357Вт; TO247-3
Brand: IXYS
SKU: IXKH35N60C5
Price: 635.40 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXKH35N60C5

635,40 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IXKH35N60C5

Виробник:

IXYS

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

super junction coolmos

Заряд затвора:

60нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

0,1Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

357Вт

Струм стока:

35А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,19 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
52нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,66 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
180нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
41нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

200,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
44,2нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
TO220-3