Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,8А; 32Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: TSM60N600CI C0G
127,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM60N600CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 32Вт
Струм стока: 4,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 142,5В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 142,5В; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

639,89 грн

Зворотна напруга макс.:
114В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
142,5В
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

39,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
24
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 56кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø5x12мм; осьові; L: 12мм
Резистор: вуглецевий; 56кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø5x12мм; осьові; L: 12мм

2,80 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
12мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: дротяний; 4,7кОм; THT; 14Вт; ±5%; Ø8,5x53,3мм; осьові
Резистор: дротяний; 4,7кОм; THT; 14Вт; ±5%; Ø8,5x53,3мм; осьові

109,60 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8,5мм
Довжина:
53,3мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 7,5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 156мА
Перетворювач: DC/DC; 7,5Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 156мА

956,67 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідна напруга 2:
-24В DC
Вихідний струм:
156мА
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 150нФ; 520ВDC; 200ВAC; 18x10,5x5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 150нФ; 520ВDC; 200ВAC; 18x10,5x5мм

9,44 грн

Висота:
10,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 25В; X7R; ±5%; SMD; 0201

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD