Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG70N60EF-GE3
710,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG70N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 380нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 38мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 229А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 215мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 215мА; 4нс; SOT23; Ufmax: 1,25В

0,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOT23
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

5,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,7пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,7пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

2,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1,7пФ
Вилковий місток; червоний; затиски: 5; 4мм
Вилковий місток; червоний; затиски: 5; 4мм

146,98 грн

Кількість клем:
5
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
червоний
Тип аксесуарів для роз’ємів:
вилковий місток
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 4,7В; SMD; SOT223; Ifмакс: 400мА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 1,5Вт; 4,7В; SMD; SOT223; Ifмакс: 400мА; ролик,cтрічка

63,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
4,7В
Корпус:
SOT223
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 560нГн; ±20%; P; 7,3x6,6x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 560нГн; ±20%; P; 7,3x6,6x4,8мм

12,42 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,56мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x4,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD