Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AC

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AC
Brand: VISHAY
SKU: SIHG70N60EF-GE3
Price: 710.85 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHG70N60EF-GE3

710,85 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIHG70N60EF-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

380нКл

Корпус:

TO247AC

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

38мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

520Вт

Струм стока:

45А

Струм стоку в імпульсі:

229А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class

Заряд затвора:
54нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,35мкКл

Корпус:
ISOPLUS i5-pac™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
97нКл

Корпус:
ISOPLUS247™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TO220

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD