Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: R6007END3TL1
Price: 33.26 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252

Немає в наявності

Код товару: R6007END3TL1

33,26 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

R6007END3TL1

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

20нКл

Корпус:

TO252

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

1,2Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

78Вт

Струм стока:

7А

Струм стоку в імпульсі:

14А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 50; BM23FR; 300mA

49,42 грн

Connector family:
data

Engineering PN:
CL0480-0382-0-51

Вид роз’єму:
гніздовий

Електричний монтаж:
SMT

Недоступний

Бажані

Діод: зенера; 1Вт; 43В; SMD; DO213AB,MELF glass; 10мкА

702,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Допуск:
±5%

Зенерівська напруга:
43В

Корпус:
DO213AB; MELF glass

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
C0G (NP0)

Ємність:
6,8пФ

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Модель:
ESD

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
14,6нКл

Корпус:
TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
6,3нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
DPAK