Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 27А; 114Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHH11N60EF-T1-GE3
154,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIHH11N60EF-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 62нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 357мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 114Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 27А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; TQFP64; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 40МГц; 2÷3,6ВDC; SMD; TQFP64; PIC18

224,28 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP x2; PoR; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART x2; I2C - Master; LIN; MSSP x2; RS232; RS485; SPI
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 36,7В; 28,1А; односпрямована; SMC; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 1,5кВт; 36,7В; 28,1А; односпрямована; SMC; ролик,cтрічка

14,13 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
33В
Корпус:
SMC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 2220

262,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
20мкФ
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; SPDT; 6А; 6A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; SPDT; 6А; 6A/250ВAC; THT

121,01 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
5
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. напруга котушки:
72В DC
Недоступний
З`єднання: на рейку; UT; PA; L: 46,9мм; затиски: 2; W: 10,2мм
З`єднання: на рейку; UT; PA; L: 46,9мм; затиски: 2; W: 10,2мм

455,53 грн

Висота:
47,7мм
Довжина:
46,9мм
Кількість клем:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 47мкФ; 16ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 47мкФ; 16ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

37,76 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 2; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 2; THT; straight

3,93 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
22,8мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268