1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252
Немає в наявності
Код товару: SIHD240N60E-GE3
160,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHD240N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DO213AB; SMD; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO213AB; SMD; ролик,cтрічка

480,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
70пФ
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%

8267,88 грн

Виводи:
болтове
Вид конденсатора:
DC-Link
Допуск:
±10%
Ємність:
510мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 220В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 1,5кВт; 220В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; Ammo Pack

9,12 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 2; 2,5÷5,5ВDC; MSOP8; 3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 2; 2,5÷5,5ВDC; MSOP8; 3мВ

59,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK