1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 75А; Idm: 431А; 625Вт; TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 75А; Idm: 431А; 625Вт; TO247-3
Немає в наявності
Код товару: NTHL017N60S5H
721,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTHL017N60S5H
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 265нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 17мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 431А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 73,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 73,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

47,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 20AWG; PTFE; синій; 1кВ; 305м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 20AWG; PTFE; синій; 1кВ; 305м

38893,86 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; ARM
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; LQFP64; 32кБRAM,128кБFLASH; ARM

575,27 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; IrDA; Microwire; QEI; SPI; SSI; UART
Кількість входів/виходів:
43
Недоступний
Резистор: thin film; 5,62кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 5,62кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 250ВDC

1728,33 грн

Використання:
харчова промисловість
Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомір TPE-S
Кількість пін:
4
Недоступний
Антена: комунікаційна; Bluetooth,U-NII,WiFi,ZigBee; лінійна; SMD
Антена: комунікаційна; Bluetooth,U-NII,WiFi,ZigBee; лінійна; SMD

41,18 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
Bluetooth; U-NII; WiFi; ZigBee
Коефіцієнт підсилення антени:
2,7дБі@2,4ГГц...2,5ГГц; 3,7дБі@5,725ГГц...5,875ГГц; 4,3дБі@5,15ГГц...5,725ГГц
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

1678,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
500нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 54А; Idm: 192А; 283Вт

831,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 5,4А; Idm: 34А; 35Вт; TO220FP

275,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4

437,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 12А; 79Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
21нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт

1564,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
219нКл
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт

366,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT