Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP15N65E-GE3
208,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP15N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 96нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 34Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 38А
Тип транзистора: N-MOSFET
36кОм; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; 50ppm/°C
36кОм; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; 50ppm/°C

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Корпус - дюйм:
0204
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 250В; X8G; ±0,5пФ; SMD; 0603

4,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,1пФ
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67÷7,37В; 38,8А; двоспрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67÷7,37В; 38,8А; двоспрямована; SMA; SMAJ

24,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
6В
Корпус:
SMA
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 649Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 649Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: D-Sub HD; PIN: 44; socket; female; data transfer; THT
Connector: D-Sub HD; PIN: 44; socket; female; data transfer; THT

174,86 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
44
Недоступний
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm
Tap: metric; M2; right hand thread; 0.4; L: 45mm; 2.1mm

252,79 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів
Діод: TVS; 5кВт; 122÷140,5В; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack
Діод: TVS; 5кВт; 122÷140,5В; односпрямована; P600; 5KP; Ammo Pack

43,72 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
P600
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт

681,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
62,3нКл
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
234нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB

114,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
65,3нКл