Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12,3А; Idm: 47,5А; 154Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12,3А; Idm: 47,5А; 154Вт
Brand: ONSEMI
SKU: FCH165N65S3R0-F155
Price: 414.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FCH165N65S3R0-F155

414,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

FCH165N65S3R0-F155

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

39нКл

Корпус:

TO247

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,14Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

154Вт

Струм стока:

12,3А

Струм стоку в імпульсі:

47,5А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
92нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
TO251

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
41,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
89нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12,5нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
180нКл

Корпус:
TO220-3