Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; Idm: 65А; 39Вт; TO220FP

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6А; Idm: 65А; 39Вт; TO220FP
Brand: VISHAY
SKU: SIHA24N65EF-GE3
Price: 267.36 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIHA24N65EF-GE3

267,36 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SIHA24N65EF-GE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

122нКл

Корпус:

TO220FP

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

156мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

39Вт

Струм стока:

6А

Струм стоку в імпульсі:

65А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 9А; 54Вт

107,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
20нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±30В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 94Вт; TO220-3; 1,14÷1,4мм

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 73А; Idm: 292А; TO220

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
30нКл

Корпус:
TO220

Напруга сток-джерело:
100В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 800В; 62А; 1560Вт; 300нс

1912,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,27мкКл

Корпус:
PLUS264™

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 170мА; 1,5Вт

2001,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
THT

Напруга сток-джерело:
60В

Потужність розсіювання:
1,5Вт

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 4А; 20,8Вт; TO220FP; ESD

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,3нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK; ESD

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
IPAK