Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP12N65E-GE3
160,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP12N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 250нс; MiniMELF plastic; Ufmax: 1,3В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 1А; 250нс; MiniMELF plastic; Ufmax: 1,3В

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
MiniMELF plastic
Індикатор: LED; опукла; червоний; анодований алюміній; 4мм; 2,5мкд
Індикатор: LED; опукла; червоний; анодований алюміній; 4мм; 2,5мкд

249,62 грн

Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
4мм
Колір індикатора:
червоний
Колір корпусу:
чорний
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 150В; 1А; SMA; Ufmax: 700мВ; SBR®
Діод: випрямний; SMD; 150В; 1А; SMA; Ufmax: 700мВ; SBR®

48,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ключ: Torx®-набір; TX8,TX9,TX10,TX15,TX20,TX25,TX27,TX30,TX40
Ключ: Torx®-набір; TX8,TX9,TX10,TX15,TX20,TX25,TX27,TX30,TX40

2625,45 грн

Кількість в наборі/упаковці:
9шт.
Розмір ключа:
TX8; TX9; TX10; TX15; TX20; TX25; TX27; TX30; TX40
Тип ключа:
Torx® - набір
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

670,30 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; SIP; THT; 22x9,5x12мм; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 200мА; SIP; THT; 22x9,5x12мм; OUT: 1

Використання:
IT
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,2А
Відповідність стандарту:
EN
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP