1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 13А; Idm: 192А; 2,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 13А; Idm: 192А; 2,5Вт
Немає в наявності
Код товару: DMT8008LFG-7
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: DMT8008LFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 37,7нКл
Корпус: PowerDI3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 10,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 192А
Тип транзистора: N-MOSFET
Насадка: Torx®-bit; TX20; 1/4"; 25мм
Насадка: Torx®-bit; TX20; 1/4"; 25мм

112,76 грн

Довжина насадки:
25мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Розмір грота:
TX20
Тип грота:
Torx®
Губка; для рами IDL-PCSA-1
Губка; для рами IDL-PCSA-1

1462,74 грн

Застосування паяльного обладнання:
для рами IDL-PCSA-1
Тип аксесуарів для паяння:
губка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 18В; DO201AE; одиночний діод; Ammo Pack; 1N53xxB
Діод: зенера; 5Вт; 18В; DO201AE; одиночний діод; Ammo Pack; 1N53xxB

29,77 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
18В
Корпус:
DO201AE
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 34; BM14; vertical
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 34; BM14; vertical

45,61 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0684-8014-1-53
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; ON-OFF-(ON); 2A/250ВAC; 100
Перемикач: важільний; Поз: 3; DP3T; ON-OFF-(ON); 2A/250ВAC; 100

178,65 грн

Виводи:
до лютування
Довжина важеля:
10,41мм
Електрична стійкість:
40000 цикли
Кількість всіх позицій:
3
Недоступний
Потенціометр: монтажний; 200Ом; багатообертовий; 250мВт; SMD; ±10%
Потенціометр: монтажний; 200Ом; багатообертовий; 250мВт; SMD; ±10%

0,00 грн

Вид потенціометра:
багатообертовий
Висота:
3,71мм
Допуск:
±10%
Кількість електр. обертів:
12
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD