Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 154А; Idm: 634А; 133Вт; DFN5

Немає в наявності
Код товару: NTMFS3D0N08XT1G
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: NTMFS3D0N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: DFN5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 133Вт
Струм стока: 154А
Струм стоку в імпульсі: 634А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 14; ARCHER; 1A; SMT
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 14; ARCHER; 1A; SMT

63,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,9пФ
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C

494,17 грн

Відповідність стандарту:
ANSI ESD S20:20.; EN 61340-5-1
Властивості елементів антистатики:
жорстка щетина; запобігає накопиченню електричних зарядів
Довжина робочої частини:
65мм
Довжина щетини:
21мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток

15479,62 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
248
Корпус:
FBGA484
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD