Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 201А; Idm: 866А; 164Вт; DFNW5

Немає в наявності
Код товару: NVMFWS1D9N08XT1G
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVMFWS1D9N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: DFNW5
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 164Вт
Струм стока: 201А
Струм стоку в імпульсі: 866А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 3м; Стандарт: Allen Bradley; chainflex
Кабель: для сервоприводів; 3м; Стандарт: Allen Bradley; chainflex

9115,57 грн

Engineering PN:
2090-CSWM1E1-14AF03
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
3м
Модель:
заправлений
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; штекерний; вилка; 4А; HDC; PUR; 2,5м
Кабель: до датчиків; PIN: 4; штекерний; вилка; 4А; HDC; PUR; 2,5м

5819,82 грн

Довжина проводу:
2,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 24ВDC; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 24ВDC; 4А

1282,95 грн

Довжина кабелю:
2м
Індикація:
LED
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: TB62261FTG; 3,3ВDC,5ВDC
Click board; макетна плата; Комп: TB62261FTG; 3,3ВDC,5ВDC

1599,72 грн

Вид модуля:
контролер крокового двигуна
Інтерфейс:
GPIO; I2C
Компоненти:
TB62261FTG
Напруга живлення:
3,3В DC; 5В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6