Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 30А; Idm: 119А; 23Вт; WDFN8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 30А; Idm: 119А; 23Вт; WDFN8
Brand: ONSEMI
SKU: NVTFS6H860NTAG
Price: 53.22 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NVTFS6H860NTAG

53,22 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

NVTFS6H860NTAG

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

8,7нКл

Корпус:

WDFN8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

21,1мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

23Вт

Струм стока:

30А

Струм стоку в імпульсі:

119А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
0,7нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SOT26; SOT457

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
5нКл

Корпус:
MPT3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
3,4нКл

Корпус:
DPAK