Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI048N08PQ
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI048N08PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 35нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56,8Вт
Струм стока: 48А
Струм стоку в імпульсі: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: плата-плата; гніздовий; PIN: 36; прямий; на PCB; 2,54мм
Роз’єм: плата-плата; гніздовий; PIN: 36; прямий; на PCB; 2,54мм

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
36
Клас горючості:
UL94V-0
Механічний монтаж:
на PCB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,16 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
18пФ
Корпус - дюйм:
0402
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 3

1511,03 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Насадка: шестигранний-bit; HEX 5мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь
Насадка: шестигранний-bit; HEX 5мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь

527,12 грн

Загальна довжина:
60мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Розмір грота:
HEX 5мм
Резистор: thin film; 76,8Ом; 2,06x1,27x0,51мм
Резистор: thin film; 76,8Ом; 2,06x1,27x0,51мм

21,48 грн

Опір:
76,8Ом
Розміри корпусу:
2,06x1,27x0,51мм
Тип резистора:
thin film
Дисплей: TFT; 10,1"; 1280x800; Підсв: LED; RGB; Інтерфейс: HDMI; HDMI
Дисплей: TFT; 10,1"; 1280x800; Підсв: LED; RGB; Інтерфейс: HDMI; HDMI

13877,99 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид дисплея:
графічний; матриця IPS
Вид контролера:
RTD2556T
Вид упаковки:
картоннa; поштучно
Недоступний
Перфоратор; Ø: 2мм; Дов.інструмента: 168мм; протиковзкий пластик
Перфоратор; Ø: 2мм; Дов.інструмента: 168мм; протиковзкий пластик

595,54 грн

Використання інструментів:
для вибивання штирів, болтів і шплинтів; для виконання уручну не дуже точних отворів в м'яких матеріалах
Діаметр стержня:
2мм
Довжина інструмента:
168мм
Матеріал рукоятки:
протиковзкий пластик
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD