Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 51А; Idm: 480А; 62,5Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: DIT080N08
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DIT080N08
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм стока: 51А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Contact; Batt.no: 1; SMT; brass; coin battery
Contact; Batt.no: 1; SMT; brass; coin battery

6,02 грн

Використання:
coin battery
Кількість батарей:
1
Матеріал контакту:
латунь
Монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS,TTL
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS,TTL

0,00 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; 8bit; bus transceiver; octal
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DHVQFN20
Недоступний
Резистор: thin film; 54,9Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 54,9Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2,2кВ; If: 50А; TO240AA
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2,2кВ; If: 50А; TO240AA

1540,17 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
2,2кВ
Корпус:
TO240AA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 50В; CHA; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,1пФ; 50В; CHA; ±0,1пФ; SMD; 0402

1,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Ємність:
8,1пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт