Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPD80R4K5P7ATMA1
Price: 58.92 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPD80R4K5P7ATMA1

58,92 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPD80R4K5P7ATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

17нКл

Корпус:

PG-TO252-3

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

4,5Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

13Вт

Струм стока:

1А

Технологія:

CoolMOS™ P7

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
28нКл

Корпус:
DFN8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263

306,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
42нКл

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
8,5нКл

Корпус:
DFN6

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,97А; Idm: 6А; 25Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,9нКл

Корпус:
DPAK; TO252AA

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
19,1нКл

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 30В; HSOP8

30,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
HSOP8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 30В; 6,5А; 1Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
16,3нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В