Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,4А; Idm: 5,6А; 30Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: IRFIBE20GPBF
181,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFIBE20GPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 6,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 30Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 5,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 50; THT; 1.5A

399,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; PG-LQFP-64; 16кБSRAM,128кБFLASH; XMC1400
IC: мікроконтролер ARM; PG-LQFP-64; 16кБSRAM,128кБFLASH; XMC1400

121,64 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Властивості інтегральних мікросхем:
RTC; watchdog; емуляція EEPROM
Інтерфейс:
GPIO; USIC x4
Кількість A/D каналів:
12
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-100; CuBe; 4N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-100; CuBe; 4N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Резистор: thin film; 200кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 200кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
1,9нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Провід; JZ-500 HMH; JZ; 5G10мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; JZ-500 HMH; JZ; 5G10мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

908,52 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; 280Вт; TO247AC

374,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 800В; 14А; 35Вт

218,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 250мА; Idm: 2А; 1Вт; TO92

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 560В; 32А; 284Вт; TO247-3

413,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; Idm: 8А; 740мВт; TO92

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 69А; 36Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO220-3

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT