Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 18А; 100Вт; TO220-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 18А; 100Вт; TO220-3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP80N450K6
Price: 239.48 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STP80N450K6

239,48 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STP80N450K6

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

17,3нКл

Корпус:

TO220-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

0,45Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

100Вт

Струм стока:

10А

Струм стоку в імпульсі:

18А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 38А; Idm: 240А; 446Вт; TO247

549,92 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 90А; Idm: 200А; 100Вт; TO220AB

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
21нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 37Вт; TO220F

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
TO220F

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 18А; Idm: 72А; 30Вт; TO220FP

183,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
29нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 50А; Idm: 200А; 103Вт

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
26нКл

Корпус:
SOT78; TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 6,3А; Idm: 40А

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
16,5нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 3,6А; Idm: 12А; 26Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
7,3нКл

Корпус:
TO220FP