Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 6,5А; 39Вт; DPAK
Brand: ONSEMI
SKU: FCD2250N80Z
Price: 48.15 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 6,5А; 39Вт; DPAK

Немає в наявності

Код товару: FCD2250N80Z

48,15 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

FCD2250N80Z

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

11нКл

Корпус:

DPAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

800В

Опір в стані провідності:

2,25Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

39Вт

Струм стока:

2,6А

Струм стоку в імпульсі:

6,5А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 225Вт; 22,2÷24,5В; 6,94А; односпрямована; PowerDI®123

6,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Зворотна напруга макс.:
20В

Корпус:
PowerDI®123

Монтаж:
SMD

Бажані

Провід: для передачі даних; chainflex® CFBUS.PVC; 4x0,38мм2

589,84 грн

Bластивості проводів:
самонесучий

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів

Будова жили:
тросик

Недоступний

Бажані

Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Iвих: 303мА; SIP; THT; 11,6x6x10,16мм

Використання:
IT

Вихідна напруга:
3,3В

Вихідний струм:
303мА

Захист:
від короткого замикання SCP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
900В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
80,4нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
D2PAK-7

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD