Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,4А; Idm: 15А; 78Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHD6N80E-GE3
118,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHD6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 940мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 3,4А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: рація Ethernet; full duplex,half duplex,MDI-X,MII,RMII
IC: рація Ethernet; full duplex,half duplex,MDI-X,MII,RMII

79,19 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; half duplex; MDI-X; MII; RMII
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,5пФ; 50В; CHA; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
CHA
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 130кОм; THT; 500мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 130кОм; THT; 500мВт; ±5%; 250В; Ш0,54x28мм

0,62 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 6,8кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,43x28мм
Резистор: вуглецевий; 6,8кОм; THT; 250мВт; ±5%; 250В; Ш0,43x28мм

0,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,8мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 1206

1,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 6; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 6; THT; straight

6,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK