Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 38А; 694Вт; T-Max

Немає в наявності
Код товару: APT8020B2LLG
2267,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT8020B2LLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 195нКл
Корпус: T-Max
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 694Вт
Струм стока: 38А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: pneumatic; 2A; Ø: 1mm; steel; Blade tip shape: dagger
Test probe: pneumatic; 2A; Ø: 1mm; steel; Blade tip shape: dagger

1089,61 грн

Type of test probe:
pneumatic
Вигин пружини макс.:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: дротяний; 150Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ø3,5x9,5мм; осьові
Резистор: дротяний; 150Ом; THT; 1Вт; ±5%; Ø3,5x9,5мм; осьові

3,09 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 22,2В; односпрямована; Ch: 8; MDA; -55÷150°C
Діод: TVS; 3кВт; 22,2В; односпрямована; Ch: 8; MDA; -55÷150°C

3336,62 грн

Зворотна напруга макс.:
20В
Кількість каналів:
8
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
22,2В
Недоступний
ПВХ; Колір: чорний; -40÷80°C
ПВХ; Колір: чорний; -40÷80°C

6821,47 грн

Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 4,2А
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 4,2А

19625,68 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
4,2А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; ККД: 82%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 3,3ВDC; ККД: 82%

122,26 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Кількість виходів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP