1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 18А; Idm: 112А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 650В; 18А; Idm: 112А
Немає в наявності
Код товару: STWA30N65DM6AG
394,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STWA30N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 284Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 112А
Технологія: MDmesh™ DM6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перфоратор; 12мм; для вирубки
Перфоратор; 12мм; для вирубки

440,95 грн

Використання інструментів:
для вирубки
Діаметр стержня:
12мм
Тип інструмента:
перфоратор
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 23; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 23; THT; 1.5A; 60V

340,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
13,8мм
Довжина відводів:
4мм
Недоступний
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 10; гніздовий; промислова; HR10; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 10; гніздовий; промислова; HR10; прямий

354,16 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
CL0110-1807-7-71
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
PCB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP