Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт

Немає в наявності
Код товару: IXTY1R4N120PHV
229,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTY1R4N120PHV
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 24,8нКл
Корпус: TO252HV
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 900нс
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 51А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 51А; Idm: 100А

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Недоступний
Click board; макетна плата; Комп: ACS733; датчих Холла; 3,3ВDC
Click board; макетна плата; Комп: ACS733; датчих Холла; 3,3ВDC

1091,61 грн

Вид модуля:
датчих Холла
Інтерфейс:
аналоговий
Компоненти:
ACS733
Напруга живлення:
3,3В DC
Недоступний
Маркер: кабельний; ABS; прозорий; FLEXIMARK®; кабелів і проводів
Маркер: кабельний; ABS; прозорий; FLEXIMARK®; кабелів і проводів

2714,78 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Довжина:
1м
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
прозорий
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 189В; 2,2А; двоспрямована; DO214AA,SMB
Діод: TVS; 600Вт; 189В; 2,2А; двоспрямована; DO214AA,SMB

28,51 грн

Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
170В
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: литий; 6ВА; 230ВAC; 15В; 400мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 6ВА; 230ВAC; 15В; 400мА; PCB; BVEI

0,00 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
15В
Зовнішні розміри:
63,7x37,2x32,3мм
Монтаж:
PCB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 115мА; Idm: 0,8А; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 115мА; Idm: 0,8А; SOT23-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; 1,8Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,2А; 1,8Вт; SOT223

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,5А; 0,5Вт; SOT23

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В