Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 47А; Idm: 188А

Немає в наявності
Код товару: APT5010LVFRG
1055,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5010LVFRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 470нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 188А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
BC6; 20А; 300В; PIN: 2; прямий; на панель; сплав міді; термопласт
BC6; 20А; 300В; PIN: 2; прямий; на панель; сплав міді; термопласт

125,44 грн

Кількість пін:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
чорний
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
IC: цифровий; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C; 10мкА
IC: цифровий; XOR; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C; 10мкА

23,88 грн

Вид затвору:
XOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Iвих: 125мА; DIP; THT; 32x20x10,8мм; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Iвих: 125мА; DIP; THT; 32x20x10,8мм; OUT: 1

Вихідна напруга:
24В
Вихідний струм:
0,125А
Захист:
від короткого замикання SCP; макс. струму OCP
Зовнішні розміри:
32x20x10,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3