Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 3А; ESD
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS5U34TR
Price: 39.28 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: QS5U34TR

39,28 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

QS5U34TR

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

1,8нКл

Корпус:

TSOT25

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±10В

Напруга сток-джерело:

20В

Опір в стані провідності:

0,31Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,25Вт

Струм стока:

1,5А

Струм стоку в імпульсі:

3А

Тип транзистора:

N-MOSFET + Schottky

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
900В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
80,4нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
59нКл

Корпус:
D2PAK-7

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15,5нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
38нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
10,5нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD