Транзистор: N-MOSFET + Schottky; польовий; 30В; 2А; Idm: 8А; 900мВт

Немає в наявності
Код товару: QS5U12TR
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QS5U12TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,8нКл
Корпус: TSOT25
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 154мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 39; THT; straight

49,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,1мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0805

0,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Реактор: common mode; SMD; 22мкГн; 250мА; R: 580мОм; -30÷50%; 42ВAC
Реактор: common mode; SMD; 22мкГн; 250мА; R: 580мОм; -30÷50%; 42ВAC

39,28 грн

Допуск:
-30...50%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
0,58Ом
Недоступний
Монтажна основа; 385ВAC; PCB; -40÷80°C; IP20
Монтажна основа; 385ВAC; PCB; -40÷80°C; IP20

458,06 грн

Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
PCB
Робоча напруга макс.:
385В AC
Робоча температура:
-40...80°C
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 24,4÷26,9В; 84,5А; односпрямована; ±5%; DO214AB
Діод: TVS; 3кВт; 24,4÷26,9В; 84,5А; односпрямована; ±5%; DO214AB

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
22В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 36; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 36; THT; 3A; 150V

607,58 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 27нФ; 630ВDC; 400ВAC; 18x10,5x5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 27нФ; 630ВDC; 400ВAC; 18x10,5x5мм

12,92 грн

Висота:
10,5мм
Довжина відводів:
18мм
Допуск:
±10%
Ємність:
27нФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD